规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NLPBF-ND
别名:*IRFZ46NLPBF
SP001557896
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ46NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 39A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFZ46NL
仓库库存编号:
AUIRFZ46NL-ND
别名:SP001521774
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFW540ATM
仓库库存编号:
IRFW540ATM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NL
仓库库存编号:
IRFZ46NL-ND
别名:*IRFZ46NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),107W(Tc),
含铅
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