以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730SPBF
  仓库库存编号：IRF730SPBF-ND
  别名：*IRF730SPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630SPBF
  仓库库存编号：IRL630SPBF-ND
  别名：*IRL630SPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830ALPBF
  仓库库存编号：IRF830ALPBF-ND
  别名：*IRF830ALPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF830LPBF
  仓库库存编号：IRF830LPBF-ND
  别名：*IRF830LPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRRPBF
  仓库库存编号：IRF634STRRPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRLPBF
  仓库库存编号：IRF730STRLPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRRPBF
  仓库库存编号：IRF730STRRPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRLPBF
  仓库库存编号：IRL630STRLPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRRPBF
  仓库库存编号：IRL630STRRPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30SPBF
  仓库库存编号：IRFBC30SPBF-ND
  别名：*IRFBC30SPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30STRLPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634S
  仓库库存编号：IRF634S-ND
  别名：*IRF634S
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730S
  仓库库存编号：IRF730S-ND
  别名：*IRF730S
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830S
  仓库库存编号：IRF830S-ND
  别名：*IRF830S
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830AS
  仓库库存编号：IRF830AS-ND
  别名：*IRF830AS
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30S
  仓库库存编号：IRFBC30S-ND
  别名：*IRFBC30S
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630S
  仓库库存编号：IRL630S-ND
  别名：*IRL630S
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRL
  仓库库存编号：IRL630STRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830AL
  仓库库存编号：IRF830AL-ND
  别名：*IRF830AL
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30L
  仓库库存编号：IRFBC30L-ND
  别名：*IRFBC30L
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRL
  仓库库存编号：IRF634STRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRR
  仓库库存编号：IRF634STRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRL
  仓库库存编号：IRF730STRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730STRR
  仓库库存编号：IRF730STRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830ASTRL
  仓库库存编号：IRF830ASTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），74W（Tc）,
• 含铅
• 搜索