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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6211-75C,118
  仓库库存编号：1727-5504-1-ND
  别名：1727-5504-1
  568-6982-1
  568-6982-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK625R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-5434-1-ND
  别名：1727-5434-1
  568-6901-1
  568-6901-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 158W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R7-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2514-1-ND
  别名：1727-2514-1
  568-12952-1
  568-12952-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：STP140N6F7
  仓库库存编号：497-15890-5-ND
  别名：497-15890-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6607-55C,118
  仓库库存编号：1727-5513-1-ND
  别名：1727-5513-1
  568-6992-1
  568-6992-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 78A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6610-75C,118
  仓库库存编号：1727-5515-1-ND
  别名：1727-5515-1
  568-6994-1
  568-6994-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 不适用
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 39A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9640-100A,118
  仓库库存编号：1727-7197-1-ND
  别名：1727-7197-1
  568-9686-1
  568-9686-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A,118
  仓库库存编号：1727-7155-1-ND
  别名：1727-7155-1
  568-9638-1
  568-9638-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7214-75B,118
  仓库库存编号：1727-4696-1-ND
  别名：1727-4696-1
  568-5844-1
  568-5844-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK624R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5512-1-ND
  别名：1727-5512-1
  568-6991-1
  568-6991-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6207-55C,118
  仓库库存编号：1727-5501-1-ND
  别名：1727-5501-1
  568-6978-1
  568-6978-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA2
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA2-ND
  别名：SP001061292
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH140N6F7-2
  仓库库存编号：497-16314-1-ND
  别名：497-16314-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R6-40C,118
  仓库库存编号：1727-5526-1-ND
  别名：1727-5526-1
  568-7005-1
  568-7005-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB120N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB120N04S402ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH140N6F7-6
  仓库库存编号：497-16971-1-ND
  别名：497-16971-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STLD200N4F6AG
  仓库库存编号：497-17148-1-ND
  别名：497-17148-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 158W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIJH440E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJH440E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJH440E-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5522-1-ND
  别名：1727-5522-1
  568-7001-1
  568-7001-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80C
  仓库库存编号：FQP6N80C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L11AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L11AKSA2-ND
  别名：SP001061296
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L11ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L11ATMA2-ND
  别名：SP001061398
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA2
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA2-ND
  别名：SP001061294
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S2L11AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S2L11AKSA2-ND
  别名：SP001061396
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N04S4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S4L02ATMA1-ND
  别名：SP000979924
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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