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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI120N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N04S402AKSA1-ND
  别名：IPI120N04S4-02
  IPI120N04S4-02-ND
  SP000764742
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK654R8-40C,127
  仓库库存编号：568-7501-5-ND
  别名：568-7501-5
  934064242127
  BUK654R8-40C,127-ND
  BUK654R840C127
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.8A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80
  仓库库存编号：FQP6N80-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.4A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N90
  仓库库存编号：FQP5N90-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 39A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9540-100A,127
  仓库库存编号：568-9729-5-ND
  别名：568-9729-5
  934056024127
  BUK9540-100A
  BUK9540-100A,127-ND
  BUK9540-100A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050HS
  仓库库存编号：GP1M011A050HS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A060H
  仓库库存编号：1560-1172-5-ND
  别名：1560-1172-1
  1560-1172-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050H
  仓库库存编号：1560-1179-5-ND
  别名：1560-1179-1
  1560-1179-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06NGAKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06NGAKSA1-ND
  别名：IPP120N06N G
  IPP120N06N G-ND
  IPP120N06NGIN
  IPP120N06NGIN-ND
  IPP120N06NGX
  IPP120N06NGXK
  SP000204175
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB77N06S2-12
  仓库库存编号：SPB77N06S2-12-ND
  别名：SP000013587
  SPB77N06S212T
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013586
  SPB80N06S2L11T
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPI80N06S2L-11-ND
  别名：SP000029960
  SPI80N06S2L11
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP77N06S2-12
  仓库库存编号：SPP77N06S2-12-ND
  别名：SP000013588
  SPP77N06S212
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013584
  SPP80N06S2L11
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB110N06L G
  仓库库存编号：IPB110N06LGINCT-ND
  别名：IPB110N06LG
  IPB110N06LGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N06N G
  仓库库存编号：IPB120N06NGINCT-ND
  别名：IPB120N06NG
  IPB120N06NGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA1
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA1TR-ND
  别名：IPB77N06S2-12
  IPB77N06S2-12-ND
  SP000218173
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L11ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-11
  IPB80N06S2L-11-ND
  SP000218177
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S2L11AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S2L11AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S2L-11
  IPI80N06S2L-11-ND
  SP000218176
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA1
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA1-ND
  别名：IPP77N06S2-12
  IPP77N06S2-12-ND
  SP000218172
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L11AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L11AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-11
  IPP80N06S2L-11-ND
  SP000218175
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A/C1,118
  仓库库存编号：BUK7226-75A/C1,118-ND
  别名：934061629118
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK6507-55C,127
  仓库库存编号：568-7487-5-ND
  别名：568-7487-5
  934064253127
  BUK6507-55C,127-ND
  BUK650755C127
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 77A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK6510-75C,127
  仓库库存编号：568-7489-5-ND
  别名：568-7489-5
  934064248127
  BUK6510-75C,127-ND
  BUK651075C127
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK653R7-30C,127
  仓库库存编号：568-7498-5-ND
  别名：568-7498-5
  934064244127
  BUK653R7-30C,127-ND
  BUK653R730C127
  
  规格：功率耗散（最大值） 158W（Tc）,
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