规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 130W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STLD125N4F6AG
仓库库存编号:
497-17147-1-ND
别名:497-17147-1
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W,RQ
仓库库存编号:
TK14G65WRQCT-ND
别名:TK14G65WRQCT
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W5,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60W5S1VX-ND
别名:TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65WS1Q-ND
别名:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60WS1VX-ND
别名:TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N65E-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N65EF-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK16C60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16C60WS1VQ-ND
别名:TK16C60W,S1VQ(S
TK16C60WS1VQ
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK16N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK16N60WS1VF-ND
别名:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK16J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16J60WS1VQ-ND
别名:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF540NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3705ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3705ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3705ZTRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 130W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3705ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3705ZPBF-ND
别名:*IRLU3705ZPBF
SP001568710
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R5-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4284-1-ND
别名:1727-4284-1
568-4973-1
568-4973-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
STB10N95K5
仓库库存编号:
497-14971-1-ND
别名:497-14971-1
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W,S1X
仓库库存编号:
TK14E65WS1X-ND
别名:TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-ND
TK14E65WS1X
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8N50NZ
仓库库存编号:
FDP8N50NZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
STB20N65M5
仓库库存编号:
497-13639-1-ND
别名:497-13639-1
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP14N80K5
仓库库存编号:
STP14N80K5-ND
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
STB14N80K5
仓库库存编号:
STB14N80K5-ND
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) I2PAK
型号:
STI20N65M5
仓库库存编号:
497-13774-5-ND
别名:497-13774-5
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 130W(Tc) TO-247
型号:
STW10N105K5
仓库库存编号:
497-15283-5-ND
别名:497-15283-5
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 130W(Tc) TO-3P
型号:
2SK3711
仓库库存编号:
2SK3711-ND
别名:2SK3711 DK
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W5,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65W5S1Q-ND
别名:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
规格:功率耗散(最大值) 130W(Tc),
无铅
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