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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 171W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N90CTM
  仓库库存编号：FQB8N90CTMCT-ND
  别名：FQB8N90CTMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 171W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP8N90C
  仓库库存编号：FQP8N90C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R065C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R065C7ATMA1-ND
  别名：SP001080110
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080100
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080116
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080120
  
  规格：功率耗散（最大值） 171W（Tc）,
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