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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R900P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R900P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R900P7SATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGTR-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGCT-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGDKR-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）,
• 无铅
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