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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9020TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9020PBFCT-ND
别名：*IRFR9020TRPBF
IRFR9020PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
型号：
DMN10H170SK3-13
仓库库存编号：
DMN10H170SK3-13DICT-ND
别名：DMN10H170SK3-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 9A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
型号：
DMP10H400SK3-13
仓库库存编号：
DMP10H400SK3-13DICT-ND
别名：DMP10H400SK3-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN4R712MD,L1Q
仓库库存编号：
TPN4R712MDL1QCT-ND
别名：TPN4R712MDL1QCT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta），14A（Tc） 42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD4243
仓库库存编号：
FDD4243CT-ND
别名：FDD4243CT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC2523P
仓库库存编号：
FDMC2523PCT-ND
别名：FDMC2523PCT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA06N120P
仓库库存编号：
IXTA06N120P-ND
别名：617329
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA17N80C3
仓库库存编号：
SPA17N80C3IN-ND
别名：SP000216353
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3X
SPA17N80C3XK
SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3XTIN-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD09P06PL G
仓库库存编号：
SPD09P06PL GCT-ND
别名：SPD09P06PL GCT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名：SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名：SPD08P06PGBTMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA028N08N3 G
仓库库存编号：
IPA028N08N3 G-ND
别名：IPA028N08N3G
IPA028N08N3GXKSA1
SP000446770
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC50N04S55R8ATMA1
仓库库存编号：
IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
别名：IPC50N04S55R8ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5
型号：
FDD850N10LD
仓库库存编号：
FDD850N10LDCT-ND
别名：FDD850N10LDCT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL7N80K5
仓库库存编号：
497-14059-1-ND
别名：497-14059-1
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL8N80K5
仓库库存编号：
497-13778-1-ND
别名：497-13778-1
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN6R1-25MLDX
仓库库存编号：
1727-2504-1-ND
别名：1727-2504-1
568-12936-1
568-12936-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8-33
型号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9530GPBF
仓库库存编号：
IRFI9530GPBF-ND
别名：*IRFI9530GPBF
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF12N50T
仓库库存编号：
FDPF12N50T-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ34GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ34GPBF-ND
别名：*IRFIZ34GPBF
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF10N50FT
仓库库存编号：
FDPF10N50FT-ND
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI530GPBF
仓库库存编号：
IRLI530GPBF-ND
别名：*IRLI530GPBF
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号：
IRFI9Z34GPBF-ND
别名：*IRFI9Z34GPBF
规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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