规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP02N80C3XKSA1-ND
别名:SP000683150
SPP02N80C3
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3IN-ND
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4510GPBF
仓库库存编号:
IRFI4510GPBF-ND
别名:SP001566752
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI530GPBF
仓库库存编号:
IRFI530GPBF-ND
别名:*IRFI530GPBF
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34GPBF-ND
别名:*IRLIZ34GPBF
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001471300
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
DMN6040SK3-13
仓库库存编号:
DMN6040SK3-13DICT-ND
别名:DMN6040SK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50NZ
仓库库存编号:
FDPF12N50NZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N50UT
仓库库存编号:
FDPF10N50UT-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50UT
仓库库存编号:
FDPF12N50UT-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL7LN80K5
仓库库存编号:
497-16496-1-ND
别名:497-16496-1
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF13N50FT
仓库库存编号:
FDPF13N50FT-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF10N60ZUT-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L-09
仓库库存编号:
IPD30N03S4L-09INCT-ND
别名:IPD30N03S4L-09INCT
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXFP5N100PM
仓库库存编号:
IXFP5N100PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL10LN80K5
仓库库存编号:
STL10LN80K5-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT69M8LFV-13
仓库库存编号:
DMT69M8LFV-13-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT69M8LFV-7
仓库库存编号:
DMT69M8LFV-7-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 69A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FKI06051
仓库库存编号:
FKI06051-ND
别名:FKI06051 DK
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 75V 55A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FKI07076
仓库库存编号:
FKI07076-ND
别名:FKI07072
FKI07072-ND
FKI07076 DK
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 41A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FKI10126
仓库库存编号:
FKI10126-ND
别名:FKI10126 DK
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF5N100
仓库库存编号:
AOTF5N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 50V 9.9A(Tc) 42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9020PBF
仓库库存编号:
IRFU9020PBF-ND
别名:*IRFU9020PBF
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 9.9A(Tc) 42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9020TRLPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 42W(Tc),
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