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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50FT
  仓库库存编号：FDPF12N50FT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N80P
  仓库库存编号：IXTP1N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1N80P
  仓库库存编号：IXTY1N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N100P
  仓库库存编号：IXTP08N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N100P
  仓库库存编号：IXTA08N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP8N50PM
  仓库库存编号：IXFP8N50PM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100P
  仓库库存编号：IXTY08N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001396808
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001396810
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R2K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R2K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001466914
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001605400
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236950
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD40N03S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD40N03S4L08ATMA1-ND
  别名：SP000475916
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEAKMA1-ND
  别名：SP001593932
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：SPB08P06PGATMA1
  仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
  别名：SP000102179
  SPB08P06P G
  SPB08P06P G-ND
  SPB08P06PGINTR
  SPB08P06PGINTR-ND
  SPB08P06PGXT
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 95A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 95A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI7440GPBF
  仓库库存编号：IRFI7440GPBF-ND
  别名：SP001578074
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD3NM60T4
  仓库库存编号：497-3161-1-ND
  别名：497-3161-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 42W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD3NM60-1
  仓库库存编号：STD3NM60-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI530G
  仓库库存编号：IRFI530G-ND
  别名：*IRFI530G
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9530G
  仓库库存编号：IRFI9530G-ND
  别名：*IRFI9530G
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z34G
  仓库库存编号：IRFI9Z34G-ND
  别名：*IRFI9Z34G
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ34G
  仓库库存编号：IRFIZ34G-ND
  别名：*IRFIZ34G
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020
  仓库库存编号：IRFR9020-ND
  别名：*IRFR9020
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TR
  仓库库存编号：IRFR9020TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 42W（Tc）,
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