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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP3050LVT-7
  仓库库存编号：DMP3050LVT-7DICT-ND
  别名：DMP3050LVT-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN3032LE-13
  仓库库存编号：DMN3032LE-13DICT-ND
  别名：DMN3032LE-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP295H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP295H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP88H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP88H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP315PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP316PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP171PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP171PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP170PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP170PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP296NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP296NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP317PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP317PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP129H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP129H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 800V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3980ZTR
  仓库库存编号：CLA4159-1-ND
  别名：CLA4159-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP298H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP298H6327XUSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：BSP135H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP135H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP135H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7892BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7892BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7892BDP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP89H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP89H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP89H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP92PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP92PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP92PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320SH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP320SH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP320SH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP372NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP372NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87090T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87090T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87090T-U/LCCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87055T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87055T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87055T-U/LCCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN10H220LE-13
  仓库库存编号：DMN10H220LE-13DICT-ND
  别名：DMN10H220LE-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 600V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3960ZTR
  仓库库存编号：CLA4158-1-ND
  别名：CLA4158-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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