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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7606TR
  仓库库存编号：IRF7606CT-ND
  别名：*IRF7606TR
  IRF7606
  IRF7606CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP318SH6327XTSA1CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7607TRPBF
  仓库库存编号：IRF7607TRPBFCT-ND
  别名：IRF7607TRPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7606TRPBF
  仓库库存编号：IRF7606TRPBFCT-ND
  别名：IRF7606TRPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7601TRPBF
  仓库库存编号：IRF7601TRPBFCT-ND
  别名：IRF7601TRPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP322PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP322PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP300H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP300H6327XUSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6906XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6906XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1611
  仓库库存编号：785-1488-1-ND
  别名：785-1488-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP324H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP324H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP373NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP373NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP297H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP297H6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP299H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP299H6327XUSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1634
  仓库库存编号：785-1489-1-ND
  别名：785-1489-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 1.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA
  
  型号：CSD13302W
  仓库库存编号：CSD13302W-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Texas Instruments
  CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD13302WT
  仓库库存编号：CSD13302WT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 1.8W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2040UFDF-13
  仓库库存编号：DMP2040UFDF-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 1.8W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2040UFDF-7
  仓库库存编号：DMP2040UFDF-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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