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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-13
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-7
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 250V TO-243AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3902CTR
  仓库库存编号：CPC3902CTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0355DSP-00#J0
  仓库库存编号：RJK0355DSP-00#J0TR-ND
  别名：RJK0355DSP-00#J0TR
  RJK0355DSP00J0
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7892BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7892BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7892BDP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7840BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7840BDP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7384DP-T1-E3TR
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7390DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7390DP-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7390DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7390DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7342DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7342DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP716NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP716NH6327XTSA1-ND
  别名：SP001087514
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP320SH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP320SH6433XTMA1-ND
  别名：SP001058772
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP296NH6433XTMA1-ND
  别名：SP001098610
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP125H6433XTMA1-ND
  别名：SP001058578
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP321PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP321PH6327XTSA1-ND
  别名：SP001058782
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSP129H6906XTSA1-ND
  别名：SP001058586
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 210mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP179H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP179H6327XTSA1-ND
  别名：SP001212770
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP135H6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP135H6433XTMA1-ND
  别名：SP001058592
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP135H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSP135H6906XTSA1-ND
  别名：SP001058594
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.5A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55,135
  仓库库存编号：BUK7880-55,135-ND
  别名：934050520135
  BUK7880-55 /T3
  BUK7880-55 /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR4420A
  仓库库存编号：FDR4420ACT-ND
  别名：FDR4420ACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR838P
  仓库库存编号：FDR838P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR840P
  仓库库存编号：FDR840P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR6674A
  仓库库存编号：FDR6674A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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