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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR844P
  仓库库存编号：FDR844P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11.2A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR6580
  仓库库存编号：FDR6580-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.8W（Ta） 9-BGA（2x2.1）
  
  型号：FDZ204P
  仓库库存编号：FDZ204P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：NDH832P
  仓库库存编号：NDH832P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 11A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR842P
  仓库库存编号：FDR842PCT-ND
  别名：FDR842PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR858P
  仓库库存编号：FDR858PCT-ND
  别名：FDR858PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-E3CT
  SI4484EYT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4486EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4486EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4486EY-T1-E3CT
  SI4486EYT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7344DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7344DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7344DP-T1-E3CT
  SI7344DPT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7382DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7382DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7382DP-T1-E3TR
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12.5A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7485DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7485DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7485DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7491DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7491DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7491DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12.5A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7485DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7485DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7485DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 600mA（Ta） 1.8W（Ta） TO-92-3
  
  型号：IRFN214BTA_FP001
  仓库库存编号：IRFN214BTA_FP001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7860ADP-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-GE3CT
  SI4484EYT1GE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4486EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4486EY-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7382DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7382DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7392DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7392DP-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7392DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7392DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7491DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7491DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 13A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7495DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7495DP-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 13A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7495DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7495DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7840BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7840BDP-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7860ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）,
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