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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-2AG
仓库库存编号：
497-15467-1-ND
别名：497-15467-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-6AG
仓库库存编号：
497-15468-1-ND
别名：497-15468-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB42AN15A0_F085
仓库库存编号：
FDB42AN15A0_F085CT-ND
别名：FDB42AN15A0_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB10N65K3
仓库库存编号：
497-14032-1-ND
别名：497-14032-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB3652
仓库库存编号：
FDB3652CT-ND
别名：FDB3652CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NF30
仓库库存编号：
497-12970-1-ND
别名：497-12970-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB03N03LB G
仓库库存编号：
IPB03N03LBGINCT-ND
别名：IPB03N03LBG
IPB03N03LBGINCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
1.2V DRIVE PCH MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
型号：
RE1C002ZPTL
仓库库存编号：
RE1C002ZPTLCT-ND
别名：RE1C002ZPTLCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD068N10N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 P 沟道 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名：IPB180P04P4L02ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP110N10F7
仓库库存编号：
497-13551-5-ND
别名：497-13551-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60DM2
仓库库存编号：
497-14571-5-ND
别名：497-14571-5
STP24N60DM2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD042P03L3GATMA1
仓库库存编号：
IPD042P03L3GATMA1CT-ND
别名：IPD042P03L3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
IXTP8N65X2
仓库库存编号：
IXTP8N65X2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD9409_F085
仓库库存编号：
FDD9409_F085CT-ND
别名：FDD9409_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL200N45LF7
仓库库存编号：
STL200N45LF7-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
STP70N10F4
仓库库存编号：
497-8812-5-ND
别名：497-8812-5
STP70N10F4-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL210N4F7AG
仓库库存编号：
STL210N4F7AG-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF12
仓库库存编号：
497-4381-5-ND
别名：497-4381-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP90N55F4
仓库库存编号：
497-10399-5-ND
别名：497-10399-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N10F7
仓库库存编号：
497-14527-1-ND
别名：497-14527-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ466E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ466E-T1_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ100EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
型号：
STH110N10F7-6
仓库库存编号：
497-13837-1-ND
别名：497-13837-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK60Z
仓库库存编号：
497-3257-5-ND
别名：497-3257-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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