规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta),16A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) Power56
型号:
FDMS86252
仓库库存编号:
FDMS86252CT-ND
别名:FDMS86252CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC035N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC035N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86520
仓库库存编号:
FDMS86520CT-ND
别名:FDMS86520CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta),22.5A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC130P03LS G
仓库库存编号:
BSC130P03LS GINCT-ND
别名:BSC130P03LS GINCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名:BSC084P03NS3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86320
仓库库存编号:
FDMS86320CT-ND
别名:FDMS86320CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),76A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8333L
仓库库存编号:
FDMS8333LCT-ND
别名:FDMS8333LCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NSI
仓库库存编号:
BSC0901NSICT-ND
别名:BSC0901NSICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSI
仓库库存编号:
BSC018NE2LSICT-ND
别名:BSC018NE2LSICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC022N04LSATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC098N10NS5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC072N08NS5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86520L
仓库库存编号:
FDMS86520LFSCT-ND
别名:FDMS86520LFSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC039N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC039N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC039N06NS
BSC039N06NS-ND
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0500NSIATMA1-ND
别名:SP001288136
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc),
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