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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD11S60
仓库库存编号：
785-1264-1-ND
别名：785-1264-1
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP20N60
仓库库存编号：
FCP20N60-ND
别名：FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60FTM
仓库库存编号：
FCB20N60FTMCT-ND
别名：FCB20N60FTMCT
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP17N80C3
仓库库存编号：
SPP17N80C3IN-ND
别名：SP000013354
SP000683164
SPP17N80C3IN
SPP17N80C3X
SPP17N80C3XK
SPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3XTIN-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60C3
仓库库存编号：
SPW20N60C3IN-ND
别名：SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60TM
仓库库存编号：
FCB20N60TMCT-ND
别名：FCB20N60TM_NLCT
FCB20N60TM_NLCT-ND
FCB20N60TMCT
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681058
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR36N60P
仓库库存编号：
IXFR36N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N50C3
仓库库存编号：
SPB21N50C3INCT-ND
别名：SPB21N50C3INCT
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号：
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名：IPB90R340C3ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG14N50D-E3
仓库库存编号：
SIHG14N50D-E3-ND
别名：SIHG14N50DE3
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681066
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
FCP190N60
仓库库存编号：
FCP190N60-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW21N50C3
仓库库存编号：
SPW21N50C3IN-ND
别名：SP000014464
SPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3X
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XTIN-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681064
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R125CP
仓库库存编号：
IPW60R125CP-ND
别名：IPW60R125CPFKSA1
IPW60R125CPX
IPW60R125CPXK
SP000088489
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R340C3
仓库库存编号：
IPW90R340C3-ND
别名：IPW90R340C3FKSA1
SP000411306
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP21N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHP21N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc）
型号：
SIHP12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHP12N50C-E3-ND
别名：SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB21N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB21N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG21N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG21N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） Power88
型号：
FCMT199N60
仓库库存编号：
FCMT199N60CT-ND
别名：FCMT199N60CT
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
FCP190N60_GF102
仓库库存编号：
FCP190N60_GF102-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-247 长引线
型号：
FCH190N65F_F155
仓库库存编号：
FCH190N65F_F155-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-247
型号：
FCH190N65F_F085
仓库库存编号：
FCH190N65F_F085-ND
规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
无铅
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