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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP14N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP14N50D-E3-ND
  别名：SIHP14N50DE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP14N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP14N50D-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP100N10
  仓库库存编号：FDP100N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG14N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG14N50D-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60
  仓库库存编号：FCA20N60-ND
  别名：FCA20N60_NL
  FCA20N60_NL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60_F109
  仓库库存编号：FCA20N60_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60E
  仓库库存编号：FCP190N60E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHB12N50C-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R125CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R125CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R125CP
  IPI60R125CP-ND
  SP000297355
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N80P
  仓库库存编号：IXFR24N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50P
  仓库库存编号：IXFR44N50P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440GPBF
  仓库库存编号：IRFB7440GPBF-ND
  别名：SP001577780
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7440PBF
  仓库库存编号：IRFSL7440PBF-ND
  别名：SP001573650
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N08S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N08S403ATMA1-ND
  别名：SP000989092
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI21N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681012
  SPI21N50C3
  SPI21N50C3-ND
  SPI21N50C3X
  SPI21N50C3XK
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681006
  SPI20N60C3
  SPI20N60C3-ND
  SPI20N60C3IN
  SPI20N60C3IN-ND
  SPI20N60C3X
  SPI20N60C3XK
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000681060
  SPP20N60CFD
  SPP20N60CFD-ND
  SPP20N60CFDIN
  SPP20N60CFDIN-ND
  SPP20N60CFDX
  SPP20N60CFDXK
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R340C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R340C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R340C3
  IPI90R340C3-ND
  SP000413726
  SP000683082
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW20N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW20N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000014535
  SPW20N60CFD
  SPW20N60CFD-ND
  SPW20N60CFDIN
  SPW20N60CFDIN-ND
  SPW20N60CFDX
  SPW20N60CFDXK
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH20N60
  仓库库存编号：FCH20N60-ND
  别名：FCH20N60_NL
  FCH20N60_NL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP18N50V2
  仓库库存编号：FQP18N50V2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT17N80BC3G
  仓库库存编号：APT17N80BC3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17N80SC3G
  仓库库存编号：APT17N80SC3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT20N60BC3G
  仓库库存编号：APT20N60BC3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT20N60SC3G
  仓库库存编号：APT20N60SC3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 208W（Tc）,
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