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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PDG-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PDG-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PLG-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 84A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP84N075KUE-E1-AY
  仓库库存编号：NP84N075KUE-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：NP88N04NUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP88N04NUG-S18-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N055KUG-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N03KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP88N03KDG-E1-AYCT
  NP88N03KDGE1AY
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP88N04KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N04KUG-E1-AY-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），200W（Tc）,
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