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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06
  仓库库存编号：FQP30N06FS-ND
  别名：FQP30N06-ND
  FQP30N06FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06L
  仓库库存编号：FQP30N06L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3410PBFCT-ND
  别名：*IRLR3410TRPBF
  IRLR3410PBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8445
  仓库库存编号：FDD8445CT-ND
  别名：FDD8445CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3410PBF
  仓库库存编号：IRLU3410PBF-ND
  别名：*IRLU3410PBF
  64-4160PBF
  64-4160PBF-ND
  SP001574164
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3709ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3709ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3709ZTRPBF
  IRFR3709ZPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD040N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD040N03LGINCT
  IPD040N03LGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL530NPBF
  仓库库存编号：IRL530NPBF-ND
  别名：*IRL530NPBF
  64-0095PBF
  64-0095PBF-ND
  SP001578734
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709ZPBF
  仓库库存编号：IRF3709ZPBF-ND
  别名：*IRF3709ZPBF
  SP001564614
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 79W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW69N65M5
  仓库库存编号：497-12977-5-ND
  别名：497-12977-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M7R2-40EX
  仓库库存编号：1727-2585-1-ND
  别名：1727-2585-1
  568-13029-1
  568-13029-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP18NQ10T,127
  仓库库存编号：1727-4637-ND
  别名：1727-4637
  568-5754
  568-5754-5
  568-5754-5-ND
  568-5754-ND
  934055698127
  PHP18NQ10T
  PHP18NQ10T,127-ND
  PHP18NQ10T-ND
  PHP18NQ10T127
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 79W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW60N65M5
  仓库库存编号：497-11325-5-ND
  别名：497-11325-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M34-100EX
  仓库库存编号：1727-2579-1-ND
  别名：1727-2579-1
  568-13023-1
  568-13023-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M23-80EX
  仓库库存编号：1727-2575-1-ND
  别名：1727-2575-1
  568-13019-1
  568-13019-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M9R9-60EX
  仓库库存编号：1727-2566-1-ND
  别名：1727-2566-1
  568-13010-1
  568-13010-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A
  详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD135N08N3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD079N06L3 G
  仓库库存编号：IPD079N06L3 GCT-ND
  别名：IPD079N06L3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB042N03L G
  仓库库存编号：IPB042N03LGINCT-ND
  别名：IPB042N03LGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB081N06L3 G
  仓库库存编号：IPB081N06L3 GCT-ND
  别名：IPB081N06L3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3410TRL
  仓库库存编号：AUIRLR3410TRLCT-ND
  别名：AUIRLR3410TRLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910PBF
  仓库库存编号：IRFU3910PBF-ND
  别名：*IRFU3910PBF
  64-4139PBF
  64-4139PBF-ND
  SP001578380
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP042N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP042N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP042N03L G
  IPP042N03LG
  IPP042N03LGIN
  IPP042N03LGIN-ND
  IPP042N03LGXK
  SP000680792
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M12-60EX
  仓库库存编号：1727-2569-1-ND
  别名：1727-2569-1
  568-13013-1
  568-13013-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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