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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP084N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP084N06L3 G
  IPP084N06L3 G-ND
  SP000680838
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI084N06L3GXKSA1-ND
  别名：SP001065242
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGBKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGBKMA1-ND
  别名：IPS040N03L G
  IPS040N03LG
  IPS040N03LGIN
  IPS040N03LGIN-ND
  SP000256159
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 79W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R7-30YLC,115
  仓库库存编号：568-6735-1-ND
  别名：568-6735-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 79W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R2-25YLC,115
  仓库库存编号：568-6732-1-ND
  别名：568-6732-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRL
  仓库库存编号：IRFR3910TRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910
  仓库库存编号：IRFU3910-ND
  别名：*IRFU3910
  SP001578418
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRR
  仓库库存编号：IRFR3910TRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRL
  仓库库存编号：IRLR3410TRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRR
  仓库库存编号：IRLR3410TRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711Z
  仓库库存编号：IRFR3711Z-ND
  别名：*IRFR3711Z
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711ZTR
  仓库库存编号：IRFR3711ZTR-ND
  别名：SP001571586
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3711ZTRL-ND
  别名：SP001557036
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711ZTRR
  仓库库存编号：IRFR3711ZTRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711ZCS
  仓库库存编号：IRF3711ZCS-ND
  别名：*IRF3711ZCS
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711ZS
  仓库库存编号：IRF3711ZS-ND
  别名：*IRF3711ZS
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3709Z
  仓库库存编号：IRFR3709Z-ND
  别名：*IRFR3709Z
  SP001555082
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709ZCS
  仓库库存编号：IRF3709ZCS-ND
  别名：*IRF3709ZCS
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709ZSTRL
  仓库库存编号：IRF3709ZSTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709ZSTRR
  仓库库存编号：IRF3709ZSTRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3711Z
  仓库库存编号：IRF3711Z-ND
  别名：*IRF3711Z
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3711ZL
  仓库库存编号：IRF3711ZL-ND
  别名：*IRF3711ZL
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3711ZCL
  仓库库存编号：IRF3711ZCL-ND
  别名：*IRF3711ZCL
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709ZCL
  仓库库存编号：IRF3709ZCL-ND
  别名：*IRF3709ZCL
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709ZL
  仓库库存编号：IRF3709ZL-ND
  别名：*IRF3709ZL
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 含铅
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