规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(132)
分立半导体产品
(132)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZS
仓库库存编号：
IRF3709ZS-ND
别名：*IRF3709ZS
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU4343
仓库库存编号：
IRLU4343-ND
别名：*IRLU4343
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU9343
仓库库存编号：
IRLU9343-ND
别名：*IRLU9343
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRL
仓库库存编号：
IRLR4343CTL-ND
别名：*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRL
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRR
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZSTRL
仓库库存编号：
IRF3711ZSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZSTRR
仓库库存编号：
IRF3711ZSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530N,127
仓库库存编号：
568-1159-5-ND
别名：568-1159-5
934055534127
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3709ZPBF-ND
别名：*IRFU3709ZPBF
SP001552414
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3711ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3711ZPBF-ND
别名：*IRFU3711ZPBF
SP001557746
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3711ZPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZPBF-ND
别名：*IRF3711ZPBF
SP001574618
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZSPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZSPBF-ND
别名：*IRF3711ZSPBF
SP001561710
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZCLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZCLPBF-ND
别名：*IRF3709ZCLPBF
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZLPBF-ND
别名：*IRF3709ZLPBF
SP001574636
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZSPBF-ND
别名：*IRF3709ZSPBF
SP001551038
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343PBF
仓库库存编号：
IRLR4343PBF-ND
别名：*IRLR4343PBF
SP001558486
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZLPBF-ND
别名：*IRF3711ZLPBF
SP001563124
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711ZCLPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZCLPBF-ND
别名：*IRF3711ZCLPBF
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU4343PBF
仓库库存编号：
IRLU4343PBF-ND
别名：*IRLU4343PBF
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711ZPBF
仓库库存编号：
IRFR3711ZPBF-ND
别名：SP001564900
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3711ZTRLPBF-ND
别名：SP001555110
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号：
IRFU3709Z-701P-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
