规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR4343-701PBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR9343-701PBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3910CPBF
仓库库存编号：
IRFR3910CPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZSTRRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRRP
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRRP-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号：
IRLR4343TRRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711ZTRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711ZTRRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711ZCTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711ZCTRPBFCT-ND
别名：IRFR3711ZCTRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3711ZSTRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRLP
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRLP-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号：
IRLR4343TRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名：IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP139N08N3 G
仓库库存编号：
IPP139N08N3 G-ND
别名：IPP139N08N3G
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名：IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N04S3-07
仓库库存编号：
IPB70N04S3-07CT-ND
别名：IPB70N04S3-07CT
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N04S3-07
仓库库存编号：
IPD70N04S3-07CT-ND
别名：IPD70N04S3-07CT
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
型号：
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD18NQ10T,118-ND
别名：934055700118
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
SP000415586
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-06
IPD90N06S4L-06-ND
SP000415594
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-07
IPI80N06S4-07-ND
SP000415690
规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
无铅
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