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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S4L07AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S4L07AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4L-07
  IPI80N06S4L-07-ND
  SP000415694
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S407AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S407AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4-07
  IPP80N06S4-07-ND
  SP000415706
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S4L07AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S4L07AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4L-07
  IPP80N06S4L-07-ND
  SP000415710
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB052N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB052N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB052N04N GCT
  IPB052N04N GCT-ND
  IPB052N04NG
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB136N08N3 G
  仓库库存编号：IPB136N08N3 GCT-ND
  别名：IPB136N08N3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8401
  仓库库存编号：IRAUIRFR8401-ND
  别名：IRAUIRFR8401
  SP001518132
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGAKMA1-ND
  别名：SP000810846
  
  规格：功率耗散（最大值） 79W（Tc）,
• 无铅
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