规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(7)
分立半导体产品
(7)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor (6)
STMicroelectronics (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 235W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB33N25TM
仓库库存编号:
FDB33N25TMCT-ND
别名:FDB33N25TMCT
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP18N50
仓库库存编号:
FDP18N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N40F
仓库库存编号:
FDA24N40F-ND
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP33N25
仓库库存编号:
FDP33N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 235W(Tc) TO-220
型号:
STP260N4F7
仓库库存编号:
497-17320-ND
别名:497-17320
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
IRFP460C
仓库库存编号:
IRFP460C-ND
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 33A(Tc) 235W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI33N25TU
仓库库存编号:
FDI33N25TU-ND
规格:功率耗散(最大值) 235W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号