规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(76)
分立半导体产品
(76)
筛选品牌
Global Power Technologies Group (11)
Infineon Technologies (15)
IXYS (4)
Nexperia USA Inc. (2)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (17)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (16)
STMicroelectronics (4)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC110N10P
仓库库存编号:
IXFC110N10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC12N80P
仓库库存编号:
IXFC12N80P-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 35A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC74N20P
仓库库存编号:
IXFC74N20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 42A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC96N15P
仓库库存编号:
IXFC96N15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.2A(Ta),44A(Tc) 120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3672
仓库库存编号:
FDB3672-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M006A065CH
仓库库存编号:
GP1M006A065CH-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M006A065PH
仓库库存编号:
GP1M006A065PH-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A050PG
仓库库存编号:
GP1M008A050PG-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M007A065HG
仓库库存编号:
GP2M007A065HG-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M008A060CG
仓库库存编号:
GP2M008A060CG-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M008A060HG
仓库库存编号:
GP2M008A060HG-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PG
仓库库存编号:
GP2M008A060PG-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M007A065CG
仓库库存编号:
1560-1163-2-ND
别名:1560-1163-2
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A050CG
仓库库存编号:
1560-1167-1-ND
别名:1560-1167-1
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A050HG
仓库库存编号:
1560-1169-5-ND
别名:1560-1169-1
1560-1169-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PGH
仓库库存编号:
1560-1205-5-ND
别名:1560-1205-1
1560-1205-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1518-E
仓库库存编号:
2SK1518-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709
仓库库存编号:
IRFU3709-ND
别名:*IRFU3709
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) TO-220-5
型号:
BTS247Z E3062A
仓库库存编号:
BTS247Z E3062A-ND
别名:BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 52A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP52N06T,127
仓库库存编号:
PHP52N06T,127-ND
别名:934056885127
PHP52N06T
PHP52N06T-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP71NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP71NQ03LT,127-ND
别名:934057025127
PHP71NQ03LT
PHP71NQ03LT-ND
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO220-5-3
型号:
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZAKSA1-ND
别名:BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) P-TO220-5
型号:
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名:BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Tc) 120W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR2908
仓库库存编号:
AUIRLR2908-ND
别名:SP001518234
规格:功率耗散(最大值) 120W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号