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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT11N80BC3G
仓库库存编号：
APT11N80BC3G-ND
别名：APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 156W（Tc） D2PAK
型号：
TK65G10N1,RQ
仓库库存编号：
TK65G10N1RQCT-ND
别名：TK65G10N1RQCT
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH14N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7085TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7085TRPBFCT-ND
别名：IRFH7085TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP15N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP15N50E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N65E-GE3-ND
别名：SIHP12N65E-GE3CT
SIHP12N65E-GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB15N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB15N50E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB8N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHB8N50D-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N65E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDMS8050
仓库库存编号：
FDMS8050-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MV8 40V NCH DUAL COOL POWERTRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 420A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（8x8）
型号：
FDMT80040DC
仓库库存编号：
FDMT80040DC-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF200N10T
仓库库存编号：
IXTF200N10T-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR36N50P
仓库库存编号：
IXFR36N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名：IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP10N60C
仓库库存编号：
FQP10N60C-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC36N50P
仓库库存编号：
IXFC36N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 156W（Tc） TO-220 [K]
型号：
APT11N80KC3G
仓库库存编号：
APT11N80KC3G-ND
别名：APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP32N20C_F080
仓库库存编号：
FQP32N20C_F080-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名：SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7004TR2PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 156W（Tc）,
无铅
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