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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB52N20TM
  仓库库存编号：FDB52N20TMCT-ND
  别名：FDB52N20TMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK962R5-60E,118
  仓库库存编号：1727-7136-1-ND
  别名：1727-7136-1
  568-9569-1
  568-9569-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB29S50L
  仓库库存编号：785-1473-1-ND
  别名：785-1473-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP52N20
  仓库库存编号：FDP52N20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT27S60L
  仓库库存编号：785-1252-5-ND
  别名：785-1252-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60F
  仓库库存编号：FCH104N60F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK27S60L
  仓库库存编号：785-1534-5-ND
  别名：AOK27S60L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK965R8-100E,118
  仓库库存编号：1727-7137-1-ND
  别名：1727-7137-1
  568-9570-1
  568-9570-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R8-80E,118
  仓库库存编号：1727-1890-1-ND
  别名：1727-1890-1
  568-11623-1
  568-11623-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60E-GE3-ND
  别名：SIHW47N60E-GE3CT
  SIHW47N60E-GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60
  仓库库存编号：FCP104N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP099N60E
  仓库库存编号：FCP099N60E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP110N65F
  仓库库存编号：FCP110N65F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH110N65F_F155
  仓库库存编号：FCH110N65F_F155-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60
  仓库库存编号：FCH104N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60F
  仓库库存编号：FCP104N60F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB110N65F
  仓库库存编号：FCB110N65FCT-ND
  别名：FCB110N65FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-E3-ND
  别名：SIHG47N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA64N10L2
  仓库库存编号：IXTA64N10L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA80N075L2
  仓库库存编号：IXTA80N075L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK765R0-100E,118
  仓库库存编号：1727-7135-1-ND
  别名：1727-7135-1
  568-9567-1
  568-9567-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N075L2
  仓库库存编号：IXTP80N075L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1895-1-ND
  别名：1727-1895-1
  568-11628-1
  568-11628-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB27S60L
  仓库库存编号：785-1248-1-ND
  别名：785-1248-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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