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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB25S65L
  仓库库存编号：785-1539-1-ND
  别名：785-1539-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT29S50L
  仓库库存编号：785-1440-5-ND
  别名：785-1440-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R4-60E,118
  仓库库存编号：1727-7134-1-ND
  别名：1727-7134-1
  568-9566-1
  568-9566-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW25S65
  仓库库存编号：785-1526-5-ND
  别名：AOW25S65-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT25S65L
  仓库库存编号：785-1514-5-ND
  别名：AOT25S65L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 300V 40A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK40N30L
  仓库库存编号：785-1447-5-ND
  别名：785-1447-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW29S50
  仓库库存编号：785-1427-5-ND
  别名：785-1427-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK29S50L
  仓库库存编号：785-1445-5-ND
  别名：785-1445-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60F_F085
  仓库库存编号：FCH104N60F_F085-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH64N10L2
  仓库库存编号：IXTH64N10L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH80N075L2
  仓库库存编号：IXTH80N075L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH099N60E
  仓库库存编号：FCH099N60E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N100P
  仓库库存编号：IXFL44N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 357W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT38M50J
  仓库库存编号：APT38M50J-ND
  别名：APT38M50JMP
  APT38M50JMP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 357W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA2712
  仓库库存编号：FDA2712-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA40T1G
  仓库库存编号：APTM100DA40T1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK40T1G
  仓库库存编号：APTM100SK40T1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA68T1G
  仓库库存编号：APTM120DA68T1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK68T1G
  仓库库存编号：APTM120SK68T1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R3-30E,118
  仓库库存编号：568-9564-1-ND
  别名：568-9564-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R4-30E,118
  仓库库存编号：568-9568-1-ND
  别名：568-9568-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 357W（Tc）,
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