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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660
仓库库存编号:
2N6660-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-2
仓库库存编号:
2N6660-2-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-E3
仓库库存编号:
2N6660-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTVP02
仓库库存编号:
2N6660JTVP02-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTX02
仓库库存编号:
2N6660JTX02-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXL02
仓库库存编号:
2N6660JTXL02-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXP02
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2N6660JTXP02-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXV02
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2N6660JTXV02-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661
仓库库存编号:
2N6661-ND
规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661-2
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规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661-E3
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无铅
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MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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2N6661JAN02
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规格:功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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2N6661JTVP02
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2N6661JTX02
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2N6661JTXL02
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2N6661JTXP02
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