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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH240N10F7-2
仓库库存编号:
497-15143-1-ND
别名:497-15143-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
TSM160N10CZ C0G
仓库库存编号:
TSM160N10CZ C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI300N4F6
仓库库存编号:
497-13648-5-ND
别名:497-13648-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N4F3-6
仓库库存编号:
497-11218-1-ND
别名:497-11218-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW52NK25Z
仓库库存编号:
497-4428-5-ND
别名:497-4428-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP260N6F6
仓库库存编号:
497-11230-5-ND
别名:497-11230-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN015-110P,127
仓库库存编号:
1727-4655-ND
别名:1727-4655
568-5772
568-5772-ND
934057141127
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55A,118
仓库库存编号:
BUK7606-55A,118-ND
别名:934055413118
BUK7606-55A /T3
BUK7606-55A /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9604-40A,118
仓库库存编号:
BUK9604-40A,118-ND
别名:934056694118
BUK9604-40A /T3
BUK9604-40A /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E04-40A,127
仓库库存编号:
BUK9E04-40A,127-ND
别名:934056696127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R2-55B,118
仓库库存编号:
1727-5264-1-ND
别名:1727-5264-1
568-6589-1
568-6589-1-ND
BUK964R255B118
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M7-GE3
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号:
SQP90P06-07L_GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19535KTT
仓库库存编号:
296-45538-1-ND
别名:296-45538-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18535KCS
仓库库存编号:
CSD18535KCS-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 300W(Tc) 8-PSOF
型号:
FDBL0330N80
仓库库存编号:
FDBL0330N80CT-ND
别名:FDBL0330N80CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA56N15T
仓库库存编号:
IXTA56N15T-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA10N80P
仓库库存编号:
IXFA10N80P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP14N60P
仓库库存编号:
IXTP14N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP56N15T
仓库库存编号:
IXTP56N15T-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA16N50P
仓库库存编号:
IXTA16N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA14N60P
仓库库存编号:
IXTA14N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP42N25P
仓库库存编号:
IXTP42N25P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ10N80P
仓库库存编号:
IXFQ10N80P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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