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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N90Q
仓库库存编号:
IXFT12N90Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12.5A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N100
仓库库存编号:
IXFH13N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10P50
仓库库存编号:
IXTT10P50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N80P
仓库库存编号:
IXFR44N80P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX12N90Q
仓库库存编号:
IXFX12N90Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N100
仓库库存编号:
IXFT12N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 700V 65A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT70SM70B
仓库库存编号:
APT70SM70B-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号:
APT1201R4BFLLG-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 21A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR40N90P
仓库库存编号:
IXFR40N90P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N10
仓库库存编号:
IXTH60N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10
仓库库存编号:
IXTT75N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N085
仓库库存编号:
IXFT80N085-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 71A(Tc) 300W(Tc) SOT-227
型号:
APT50MC120JCU2
仓库库存编号:
APT50MC120JCU2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名:IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA2-ND
别名:SP001063646
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N08S207AKSA1-ND
别名:IPI80N08S2-07
IPI80N08S2-07-ND
SP000219043
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N04S2H4AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N04S2H4AKSA2-ND
别名:SP001061290
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067950
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名:SP001063636
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07-ND
SP000219048
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名:IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001063640
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名:IPB100N08S2-07
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规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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