规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 300V 35A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH35N30
仓库库存编号:
IXFH35N30-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 550V 22A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N55
仓库库存编号:
IXFH22N55-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N60
仓库库存编号:
IXFH15N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N60
仓库库存编号:
IXFH20N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N90
仓库库存编号:
IXFH6N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N90
仓库库存编号:
IXFH10N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100
仓库库存编号:
IXFH10N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064
仓库库存编号:
IRFP064-ND
别名:*IRFP064
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) TO-264
型号:
MTY100N10E
仓库库存编号:
MTY100N10EOS-ND
别名:MTY100N10EOS
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12.5A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT13N100
仓库库存编号:
IXFT13N100-ND
别名:Q2093962
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 85V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50P085
仓库库存编号:
IXTH50P085-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
FDH15N50
仓库库存编号:
FDH15N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP15N50
仓库库存编号:
FDP15N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90C-ND
别名:Q2658628A
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90CFS-ND
别名:FQA11N90CFS
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12.6A(Tc) 300W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N80
仓库库存编号:
FQA13N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11.4A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90
仓库库存编号:
FQA11N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7510-100B,127
仓库库存编号:
568-6620-5-ND
别名:568-6620
568-6620-5
568-6620-ND
934057110127
BUK7510-100B
BUK7510-100B,127-ND
BUK7510-100B-ND
BUK7510100B127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R0-55B,127
仓库库存编号:
568-6625-5-ND
别名:568-6625
568-6625-5
568-6625-ND
934057090127
BUK754R0-55B
BUK754R0-55B,127-ND
BUK754R0-55B-ND
BUK754R055B127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK954R2-55B,127
仓库库存编号:
568-6635-5-ND
别名:568-6635
568-6635-5
568-6635-ND
934057092127
BUK954R2-55B
BUK954R2-55B,127-ND
BUK954R2-55B-ND
BUK954R255B127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M85BVFRG
仓库库存编号:
APT30M85BVFRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5018BLLG
仓库库存编号:
APT5018BLLG-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 400V 30A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N40Q
仓库库存编号:
IXFH30N40Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N100Q
仓库库存编号:
IXFT12N100Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 26A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI8441
仓库库存编号:
FDI8441-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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