规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP85NF55L
仓库库存编号:
497-7532-5-ND
别名:497-7532-5
STP85NF55L-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19535KTTT
仓库库存编号:
296-41135-1-ND
别名:296-41135-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19535KCS
仓库库存编号:
296-37288-5-ND
别名:296-37288-5
CSD19535KCS-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB64N25S320ATMA1
仓库库存编号:
IPB64N25S320ATMA1CT-ND
别名:IPB64N25S320ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB025N10N3 G
仓库库存编号:
IPB025N10N3 GCT-ND
别名:IPB025N10N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB036N12N3 G
仓库库存编号:
IPB036N12N3 GCT-ND
别名:IPB036N12N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB065N15N3 G
仓库库存编号:
IPB065N15N3 GCT-ND
别名:IPB065N15N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF03L-04
仓库库存编号:
497-2676-5-ND
别名:497-2676-5
STP80NF03L04
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH240N75F3-6
仓库库存编号:
497-11841-1-ND
别名:497-11841-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB107N20N3 G
仓库库存编号:
IPB107N20N3 GCT-ND
别名:IPB107N20N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064PBF
仓库库存编号:
IRFP064PBF-ND
别名:*IRFP064PBF
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB107N20NA
仓库库存编号:
IPB107N20NACT-ND
别名:IPB107N20NACT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名:SP001108122
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP6N50D2
仓库库存编号:
IXTP6N50D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N50D2
仓库库存编号:
IXTA6N50D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20N3 G
仓库库存编号:
IPP110N20N3 G-ND
别名:IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10P50P
仓库库存编号:
IXTH10P50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26P20P
仓库库存编号:
IXTH26P20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N25N3 G
仓库库存编号:
IPP200N25N3 G-ND
别名:IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20NA
仓库库存编号:
IPP110N20NA-ND
别名:IPP110N20NAAKSA1
SP000877672
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10P60
仓库库存编号:
IXTH10P60-ND
别名:Q1152201
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N20
仓库库存编号:
IXFH50N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPLU300N04S41R1XTMA1
仓库库存编号:
IPLU300N04S41R1XTMA1CT-ND
别名:IPLU300N04S41R1XTMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S400ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S400ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S400ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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