规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7-180
型号:
BTS282Z E3180A
仓库库存编号:
BTS282ZE3180AINCT-ND
别名:BTS282ZE3180AINCT
BTS282ZE3180ATINCT
BTS282ZE3180ATINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名:SPP100N03S2L-03IN
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 185A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA1304PPBF
仓库库存编号:
IRLBA1304PPBF-ND
别名:*IRLBA1304PPBF
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-03INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-03INCT
IPB100N06S3L-03XTINCT
IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L03-ND
别名:SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S203
仓库库存编号:
SPP100N03S203-ND
别名:SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L03-ND
别名:SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9506-55A,127
仓库库存编号:
BUK9506-55A,127-ND
别名:934055408127
BUK9506-55A
BUK9506-55A-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB193NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB193NQ06T,118-ND
别名:934058545118
PHB193NQ06T /T3
PHB193NQ06T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB225NQ04T,118
仓库库存编号:
PHB225NQ04T,118-ND
别名:934058531118
PHB225NQ04T /T3
PHB225NQ04T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP193NQ06T,127
仓库库存编号:
PHP193NQ06T,127-ND
别名:934058546127
PHP193NQ06T
PHP193NQ06T-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP222NQ04LT,127
仓库库存编号:
PHP222NQ04LT,127-ND
别名:934058558127
PHP222NQ04LT
PHP222NQ04LT-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP225NQ04T,127
仓库库存编号:
PHP225NQ04T,127-ND
别名:934058532127
PHP225NQ04T
PHP225NQ04T-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN004-55W,127
仓库库存编号:
PSMN004-55W,127-ND
别名:934055815127
PSMN004-55W
PSMN004-55W-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN009-100W,127
仓库库存编号:
PSMN009-100W,127-ND
别名:934055801127
PSMN009-100W
PSMN009-100W-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 73A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 150V 73A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN020-150W,127
仓库库存编号:
PSMN020-150W,127-ND
别名:934055779127
PSMN020-150W
PSMN020-150W-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN040-200W,127
仓库库存编号:
PSMN040-200W,127-ND
别名:934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-30B,127
仓库库存编号:
568-6622-5-ND
别名:568-6622
568-6622-5
568-6622-ND
934057086127
BUK752R7-30B
BUK752R7-30B,127-ND
BUK752R7-30B-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E2R7-30B,127
仓库库存编号:
568-6629-5-ND
别名:568-6629
568-6629-5
568-6629-ND
934058024127
BUK7E2R7-30B
BUK7E2R7-30B,127-ND
BUK7E2R7-30B-ND
BUK7E2R730B127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB153NQ08LT,118
仓库库存编号:
PHB153NQ08LT,118-ND
别名:934058282118
PHB153NQ08LT /T3
PHB153NQ08LT /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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