规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB160NQ08T,118
仓库库存编号:
PHB160NQ08T,118-ND
别名:934058283118
PHB160NQ08T /T3
PHB160NQ08T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP160NQ08T,127
仓库库存编号:
PHP160NQ08T,127-ND
别名:934058278127
PHP160NQ08T
PHP160NQ08T-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7
型号:
BTS282ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS282ZAKSA1-ND
别名:BTS282Z
BTS282Z-ND
BTS282ZXK
SP000399016
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7-230
型号:
BTS282Z E3230
仓库库存编号:
BTS282Z E3230-ND
别名:BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3-03-ND
别名:IPB100N06S303XT
SP000087982
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3-03
仓库库存编号:
IPI100N06S3-03-ND
别名:IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3L-03
仓库库存编号:
IPI100N06S3L-03IN-ND
别名:IPI100N06S3L-03-ND
IPI100N06S3L-03IN
IPI100N06S3L03X
IPI100N06S3L03XK
SP000087979
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N06L G
仓库库存编号:
IPP048N06LGIN-ND
别名:IPP048N06L G-ND
IPP048N06LGIN
IPP048N06LGX
IPP048N06LGXK
SP000204180
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP050N06N G
仓库库存编号:
IPP050N06NGIN-ND
别名:IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号:
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名:IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3-03
仓库库存编号:
IPP100N06S3-03-ND
别名:IPP100N06S303X
IPP100N06S303XK
SP000087980
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3L-03
仓库库存编号:
IPP100N06S3L-03IN-ND
别名:IPP100N06S3L-03-ND
IPP100N06S3L-03IN
IPP100N06S3L03X
IPP100N06S3L03XK
SP000087977
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2-04
仓库库存编号:
SPB100N04S2-04-ND
别名:SP000013711
SPB100N04S204T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2-07-ND
别名:SP000013715
SPB100N08S207T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名:SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2-03-ND
别名:SP000016251
SPB80N03S203T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号:
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名:SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
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