规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-04
仓库库存编号:
SPB80N04S2-04-ND
别名:SP000016353
SPB80N04S204T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-H4
仓库库存编号:
SPB80N04S2-H4-ND
别名:SP000016358
SPB80N04S2H4T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N04S2L-03-ND
别名:SP000016354
SPB80N04S2L03T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号:
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名:SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2-05-ND
别名:SP000016351
SPB80N06S205T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2-H5-ND
别名:SP000013795
SPB80N06S2H5T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2-07-ND
别名:SP000016355
SPB80N08S207T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2-03-ND
别名:SP000013492
SPI100N03S203X
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2-03-ND
别名:SP000016262
SPI80N03S203X
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N04S2-04
仓库库存编号:
SPI80N04S2-04-ND
别名:SP000015085
SPI80N04S204
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S-08
仓库库存编号:
SPI80N06S-08-ND
别名:SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-05-ND
别名:SP000016360
SPI80N06S2L05
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N08S2-07
仓库库存编号:
SPI80N08S2-07-ND
别名:SP000013954
SPI80N08S207
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号:
SPI80N08S2-07R-ND
别名:SP000013717
SPI80N08S207R
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2-04
仓库库存编号:
SPP100N04S2-04-ND
别名:SP000013718
SPP100N04S204
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N04S2L-03-ND
别名:SP000013719
SPP100N04S2L03
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2-05-ND
别名:SP000013720
SPP100N06S205
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2L-05-ND
别名:SP000013721
SPP100N06S2L05
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N08S2-07
仓库库存编号:
SPP100N08S2-07-ND
别名:SP000013722
SPP100N08S207
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP100N08S2L-07-ND
别名:SP000013723
SPP100N08S2L07
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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