规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
IPB80N06S2L-H5-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名:IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI04CN10N G
仓库库存编号:
IPI04CN10N G-ND
别名:SP000398084
SP000680660
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI05CN10N G
仓库库存编号:
IPI05CN10N G-ND
别名:SP000208922
SP000680664
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名:IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名:IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S2H4AKSA1-ND
别名:IPI80N04S2-H4
IPI80N04S2-H4-ND
SP000218171
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05CN10L G
仓库库存编号:
IPP05CN10L G-ND
别名:SP000308801
SP000680812
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S204AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S204AKSA1-ND
别名:IPP100N04S2-04
IPP100N04S2-04-ND
SP000219056
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S2L03AKSA1
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别名:IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号:
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别名:IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
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别名:IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S204AKSA1
仓库库存编号:
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别名:IPP80N04S2-04
IPP80N04S2-04-ND
SP000219054
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S2H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4-ND
SP000218169
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2L03AKSA1
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IPP80N04S2L03AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03-ND
SP000219063
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
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