规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2804STRLPBFCT-ND
别名:IRF2804STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S402ATMA1CT-ND
别名:IPB180N10S402ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310PBF
仓库库存编号:
IRFB4310PBF-ND
别名:*IRFB4310PBF
SP001566592
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2907ZPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZPBF-ND
别名:*IRF2907ZPBF
SP001571154
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19505KCS
仓库库存编号:
296-37287-5-ND
别名:296-37287-5
CSD19505KCS-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804PBF
仓库库存编号:
IRF2804PBF-ND
别名:*IRF2804PBF
94-0094PBF
94-0094PBF-ND
SP001571174
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206PBF
仓库库存编号:
IRFB3206PBF-ND
别名:64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH245N75F3-6
仓库库存编号:
497-15470-1-ND
别名:497-15470-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP265N6F6AG
仓库库存编号:
497-15558-5-ND
别名:497-15558-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N30P
仓库库存编号:
IXTP36N30P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP16N50P
仓库库存编号:
IXFP16N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N30P
仓库库存编号:
IXTA36N30P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB100NF03L-03-1
仓库库存编号:
497-15805-5-ND
别名:497-15805-5
STB100NF03L-03-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N12N3 G
仓库库存编号:
IPP048N12N3 G-ND
别名:IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N50P
仓库库存编号:
IXFH16N50P-ND
别名:611778
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF3805S-7PPBF
仓库库存编号:
IRF3805S-7PPBF-ND
别名:64-2095PBF
64-2095PBF-ND
IRF3805S7PPBF
SP001553992
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP041N12N3 G
仓库库存编号:
IPP041N12N3 G-ND
别名:IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP360N4F6
仓库库存编号:
497-13972-5-ND
别名:497-13972-5
STP360N4F6-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA52P10P
仓库库存编号:
IXTA52P10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36P15P
仓库库存编号:
IXTA36P15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW46NF30
仓库库存编号:
497-13595-5-ND
别名:497-13595-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名:SP001108126
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N100D2
仓库库存编号:
IXTH6N100D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP400N4F6
仓库库存编号:
497-13973-5-ND
别名:497-13973-5
STP400N4F6-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50P10
仓库库存编号:
IXTH50P10-ND
别名:606059
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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