规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206GPBF
仓库库存编号:
IRFB3206GPBF-ND
别名:SP001565784
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB80NF55L-08-1
仓库库存编号:
497-12542-5-ND
别名:497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP100NF04
仓库库存编号:
497-7497-5-ND
别名:497-7497-5
STP100NF04-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB80NF03L-04-1
仓库库存编号:
497-12540-5-ND
别名:497-12540-5
STB80NF03L-04-1-ND
STB80NF03L041
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP76NF75
仓库库存编号:
497-12619-5-ND
别名:497-12619-5
STP76NF75-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV200N55F3
仓库库存编号:
497-7028-1-ND
别名:497-7028-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI360N4F6
仓库库存编号:
497-14565-5-ND
别名:497-14565-5
STI360N4F6-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI400N4F6
仓库库存编号:
497-14566-5-ND
别名:497-14566-5
STI400N4F6-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI260N6F6
仓库库存编号:
497-11329-5-ND
别名:497-11329-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP240N10F7
仓库库存编号:
497-13588-5-ND
别名:497-13588-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-247-4L
型号:
STW48N60M2-4
仓库库存编号:
497-15448-5-ND
别名:497-15448-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH21N50F
仓库库存编号:
IXFH21N50F-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 45A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW56NM60N
仓库库存编号:
497-13286-5-ND
别名:497-13286-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7604-40A,118
仓库库存编号:
1727-7161-1-ND
别名:1727-7161-1
568-9644-1
568-9644-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRFS3207ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFS3207ZTRRPBFCT-ND
别名:IRFS3207ZTRRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E06-55A,127
仓库库存编号:
1727-7229-ND
别名:1727-7229
568-9751-5
568-9751-5-ND
934056832127
BUK9E06-55A,127-ND
BUK9E0655A127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7515-100A,127
仓库库存编号:
568-9804-5-ND
别名:568-9804-5
934055409127
BUK7515-100A
BUK7515-100A,127-ND
BUK7515-100A-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7506-55A,127
仓库库存编号:
1727-7231-ND
别名:1727-7231
568-9808-5
568-9808-5-ND
934055407127
BUK7506-55A
BUK7506-55A,127-ND
BUK7506-55A-ND
BUK750655A127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9506-75B,127
仓库库存编号:
568-6632-5-ND
别名:568-6632
568-6632-5
568-6632-ND
934057111127
BUK9506-75B
BUK9506-75B,127-ND
BUK9506-75B-ND
BUK950675B127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NF10T4
仓库库存编号:
497-7951-1-ND
别名:497-7951-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-1
型号:
BTS282ZE3180AATMA2
仓库库存编号:
BTS282ZE3180AATMA2CT-ND
别名:BTS282ZE3180AATMA2CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP86363_F085
仓库库存编号:
FDP86363_F085-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19505KTT
仓库库存编号:
296-44040-1-ND
别名:296-44040-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86363_F085
仓库库存编号:
FDB86363_F085CT-ND
别名:FDB86363_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB170NF04
仓库库存编号:
497-12535-1-ND
别名:497-12535-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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