规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH260N6F6-2
仓库库存编号:
497-11217-1-ND
别名:497-11217-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH360N4F6-2
仓库库存编号:
497-14535-1-ND
别名:497-14535-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH400N4F6-2
仓库库存编号:
497-14536-1-ND
别名:497-14536-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH40N30Q
仓库库存编号:
IXFH40N30Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA15N50L2
仓库库存编号:
IXTA15N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-100B,118
仓库库存编号:
1727-4771-1-ND
别名:1727-4771-1
568-5949-1
568-5949-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R1-40B,118
仓库库存编号:
1727-5252-1-ND
别名:1727-5252-1
568-6576-1
568-6576-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK963R2-40B,118
仓库库存编号:
1727-5263-1-ND
别名:1727-5263-1
568-6588-1
568-6588-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R7-30B,118
仓库库存编号:
1727-5251-1-ND
别名:1727-5251-1
568-6575-1
568-6575-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S204ATMA4
仓库库存编号:
IPB100N04S204ATMA4CT-ND
别名:IPB100N04S204ATMA4CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA4
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA4CT-ND
别名:IPB100N06S205ATMA4CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA4
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA4CT-ND
别名:IPB160N04S203ATMA4CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4310TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3805STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3805STRLPBFCT-ND
别名:IRF3805STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N12S305ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N08N5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB027N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB027N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPB027N10N3 GCT
IPB027N10N3 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF1324STRL-7PP
仓库库存编号:
IRF1324STRL-7PPCT-ND
别名:IRF1324STRL-7PPCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3
型号:
IPB117N20NFDATMA1
仓库库存编号:
IPB117N20NFDATMA1CT-ND
别名:IPB117N20NFDATMA1-ND
IPB117N20NFDATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N25N3 G
仓库库存编号:
IPB200N25N3 GCT-ND
别名:IPB200N25N3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-06
仓库库存编号:
497-2774-5-ND
别名:497-2774-5
STP80NF5506
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N80
仓库库存编号:
IXFH13N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),279A(Tc) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18535KTTT
仓库库存编号:
296-44121-1-ND
别名:296-44121-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260NPBF
仓库库存编号:
IRFP260NPBF-ND
别名:*IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
SP001552016
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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