规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF12
仓库库存编号:
497-6743-5-ND
别名:497-6743-5
STP80NF12-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH24P20
仓库库存编号:
IXTH24P20-ND
别名:Q1163049
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N50
仓库库存编号:
IXFH24N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N10
仓库库存编号:
IXTH75N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1324PBF
仓库库存编号:
IRF1324PBF-ND
别名:SP001561460
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260MPBF
仓库库存编号:
IRFP260MPBF-ND
别名:SP001572874
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3207ZPBF
仓库库存编号:
IRFB3207ZPBF-ND
别名:SP001575584
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP85NF55
仓库库存编号:
497-6744-5-ND
别名:497-6744-5
STP85NF55-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP14N60P
仓库库存编号:
IXFP14N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36N30P
仓库库存编号:
IXTQ36N30P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP030N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP030N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36P15P
仓库库存编号:
IXTP36P15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP52P10P
仓库库存编号:
IXTP52P10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N100D2
仓库库存编号:
IXTA6N100D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N50D2
仓库库存编号:
IXTH6N50D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP15N50L2
仓库库存编号:
IXTP15N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH15N50L2
仓库库存编号:
IXTH15N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50
仓库库存编号:
IXFH21N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH21N50
仓库库存编号:
IXTH21N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N30
仓库库存编号:
IXTH40N30-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S2L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S2L07AKSA1-ND
别名:IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07-ND
IPP80N08S2L07
SP000219050
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB76NF75
仓库库存编号:
497-12538-1-ND
别名:497-12538-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP141NF55
仓库库存编号:
497-7023-5-ND
别名:497-7023-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI76NF75
仓库库存编号:
497-12266-ND
别名:497-12266
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB60NF10-1
仓库库存编号:
497-6185-5-ND
别名:497-6185-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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