规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3207ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB3207ZGPBF-ND
别名:SP001554560
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF04
仓库库存编号:
497-10075-5-ND
别名:497-10075-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP210N75F6
仓库库存编号:
497-11334-5-ND
别名:497-11334-5
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36P15P
仓库库存编号:
IXTQ36P15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT12N100F
仓库库存编号:
IXFT12N100F-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2H5ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S2H5ATMA2CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E04-40A,127
仓库库存编号:
1727-7227-ND
别名:1727-7227
568-9744-5
568-9744-5-ND
934056701127
BUK7E04-40A,127-ND
BUK7E0440A127
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF55-08T4
仓库库存编号:
497-3737-1-ND
别名:497-3737-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB75NF75LT4
仓库库存编号:
497-3514-1-ND
别名:497-3514-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8832_F085
仓库库存编号:
FDB8832_F085CT-ND
别名:FDB8832_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF10T4
仓库库存编号:
497-2489-1-ND
别名:497-2489-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB75NF75T4
仓库库存编号:
497-15666-1-ND
别名:497-15666-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8832
仓库库存编号:
FDB8832CT-ND
别名:FDB8832CT
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP450P2
仓库库存编号:
IXTP450P2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF03L-04T4
仓库库存编号:
497-7952-1-ND
别名:497-7952-1
STB80NF03L04T4
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF04T4
仓库库存编号:
497-5951-1-ND
别名:497-5951-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH450P2
仓库库存编号:
IXTH450P2-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH240N75F3-2
仓库库存编号:
497-13271-1-ND
别名:497-13271-1
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N50Q3
仓库库存编号:
IXFR44N50Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R8-30B,118
仓库库存编号:
1727-5262-1-ND
别名:1727-5262-1
568-6587-1
568-6587-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5249-1-ND
别名:1727-5249-1
568-6573-1
568-6573-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-55B,118
仓库库存编号:
1727-5254-1-ND
别名:1727-5254-1
568-6578-1
568-6578-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-55AL,118
仓库库存编号:
1727-7164-1-ND
别名:1727-7164-1
568-9648-1
568-9648-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 228A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK6C2R1-55C,118
仓库库存编号:
1727-7126-1-ND
别名:1727-7126-1
568-9502-1
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规格:功率耗散(最大值) 300W(Tc),
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