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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60X,LQ
  仓库库存编号：TK31V60XLQCT-ND
  别名：TK31V60XLQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：TK31V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60W5LVQCT-ND
  别名：TK31V60W5LVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8.6A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9N90_F109
  仓库库存编号：FQA9N90_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N90C_F109
  仓库库存编号：FQA8N90C_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N60NZ
  仓库库存编号：FDP12N60NZ-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80C_F109
  仓库库存编号：FQA10N80C_F109FS-ND
  别名：FQA10N80C_F109-ND
  FQA10N80C_F109FS
  FQA10N80CF109
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60C3
  仓库库存编号：SPW24N60C3IN-ND
  别名：SP000014695
  SPW24N60C3-ND
  SPW24N60C3FKSA1
  SPW24N60C3IN
  SPW24N60C3X
  SPW24N60C3XK
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SPP24N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681068
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW24N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000264428
  SPW24N60CFD
  SPW24N60CFD-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA8N90C
  仓库库存编号：FQA8N90C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA12N60
  仓库库存编号：FQA12N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80C
  仓库库存编号：FQA10N80C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80
  仓库库存编号：FQA10N80-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80_F109
  仓库库存编号：FQA10N80_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP24N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60C3HKSA1-ND
  别名：SPP24N60C3
  SPP24N60C3-ND
  SPP24N60C3IN
  SPP24N60C3IN-ND
  SPP24N60C3X
  SPP24N60C3XK
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP24N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000264426
  SP000681070
  SPP24N60CFD
  SPP24N60CFD-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 240W（Tc）,
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