规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(20)
分立半导体产品
(20)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
STMicroelectronics (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB075N15A
仓库库存编号:
FDB075N15ACT-ND
别名:FDB075N15ACT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035N10A
仓库库存编号:
FDB035N10ACT-ND
别名:FDB035N10ACT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-75C,118
仓库库存编号:
1727-5255-1-ND
别名:1727-5255-1
568-6579-1
568-6579-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP020N06B_F102
仓库库存编号:
FDP020N06B_F102-ND
别名:FDP020N06B
FDP020N06B-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB86563_F085
仓库库存编号:
FDB86563_F085CT-ND
别名:FDB86563_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB075N15A_F085
仓库库存编号:
FDB075N15A_F085CT-ND
别名:FDB075N15A_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86360_F085
仓库库存编号:
FDB86360_F085CT-ND
别名:FDB86360_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R0-40C,118
仓库库存编号:
1727-5250-1-ND
别名:1727-5250-1
568-6574-1
568-6574-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 202A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404PBF
仓库库存编号:
IRF1404PBF-ND
别名:*IRF1404PBF
SP001561374
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP075N15A_F102
仓库库存编号:
FDP075N15A_F102-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP036N10A
仓库库存编号:
FDP036N10A-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 333W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH272N6F7-6AG
仓库库存编号:
STH272N6F7-6AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E2R3-40C,127
仓库库存编号:
1727-5269-ND
别名:1727-5269
568-6628
568-6628-5
568-6628-5-ND
568-6628-ND
934059861127
BUK7E2R3-40C,127-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 103A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名:IRF3610STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404
仓库库存编号:
AUIRF1404-ND
别名:SP001522606
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R3-40C,127
仓库库存编号:
568-6621-5-ND
别名:568-6621
568-6621-5
568-6621-ND
934059866127
BUK752R3-40C,127-ND
BUK752R340C127
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6627-5-ND
别名:568-6627
568-6627-5
568-6627-ND
934060122127
BUK754R3-75C,127-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号:
568-5854-1-ND
别名:568-5854-1
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 130A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP075N15A
仓库库存编号:
FDP075N15A-ND
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6630-5-ND
别名:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
规格:功率耗散(最大值) 333W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号