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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 27.2W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001217232
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.2W（Tc）,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 27.2W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6024DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6024DPD-00#J2CT-ND
  别名：RJK6024DPD-00#J2CT
  RJK6024DPD00J2
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.2W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R650CE
  仓库库存编号：IPA50R650CE-ND
  别名：IPA50R650CEXKSA1
  SP000992086
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.2W（Tc）,
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  无铅
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