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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA44P15TTRL
  仓库库存编号：IXTA44P15TTRLCT-ND
  别名：IXTA44P15TTRLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 96A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 96A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP96P085T
  仓库库存编号：IXTP96P085T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 76A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP76P10T
  仓库库存编号：IXTP76P10T-ND
  别名：621165
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA76P10T
  仓库库存编号：IXTA76P10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140P05T
  仓库库存编号：IXTP140P05T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 96A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 96A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH96P085T
  仓库库存编号：IXTH96P085T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 298W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA62N25C
  仓库库存编号：FQA62N25CFS-ND
  别名：FQA62N25C-ND
  FQA62N25CFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 96A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 96A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA96P085TTRL
  仓库库存编号：IXTA96P085TTRLCT-ND
  别名：IXTA96P085TTRLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 298W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP150N65F
  仓库库存编号：FCP150N65F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 298W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH150N65F_F155
  仓库库存编号：FCH150N65F_F155-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH76P10T
  仓库库存编号：IXTH76P10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44P15T
  仓库库存编号：IXTQ44P15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BLLG
  仓库库存编号：APT10090BLLG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 298W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11C60PL
  仓库库存编号：785-1710-5-ND
  别名：785-1710-5
  AOT11C60PL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP44P15T
  仓库库存编号：IXTP44P15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP120P065T
  仓库库存编号：IXTP120P065T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 65V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA120P065T
  仓库库存编号：IXTA120P065T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA140P05T
  仓库库存编号：IXTA140P05T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH120P065T
  仓库库存编号：IXTH120P065T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH140P05T
  仓库库存编号：IXTH140P05T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH44P15T
  仓库库存编号：IXTH44P15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BFLLG
  仓库库存编号：APT10090BFLLG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 298W（Tc）,
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