规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(181)
分立半导体产品
(181)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (6)
Central Semiconductor Corp (1)
Infineon Technologies (14)
IXYS (5)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
Renesas Electronics America (9)
STMicroelectronics (110)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
Vishay Siliconix (19)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18N60M2
仓库库存编号:
497-13947-5-ND
别名:497-13947-5
STF18N60M2-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N65M2
仓库库存编号:
497-15269-5-ND
别名:497-15269-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM50N
仓库库存编号:
497-12566-5-ND
别名:497-12566-5
STF11NM50N-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60ND
仓库库存编号:
497-12246-ND
别名:497-12246
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N65M5
仓库库存编号:
497-10569-5-ND
别名:497-10569-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001499700
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3NK80Z
仓库库存编号:
497-4342-5-ND
别名:497-4342-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-252AA
型号:
IXTY01N100
仓库库存编号:
IXTY01N100-ND
别名:490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N80K5
仓库库存编号:
497-13645-5-ND
别名:497-13645-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N95K5
仓库库存编号:
497-12854-5-ND
别名:497-12854-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N95K5
仓库库存编号:
497-14274-5-ND
别名:497-14274-5
STF5N95K5-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N65M5
仓库库存编号:
497-11398-5-ND
别名:497-11398-5
STF8N65M5-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGTR-ND
别名:TSM900N06CW RPGTR
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGCT-ND
别名:TSM900N06CW RPGCT
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) SOT-223
型号:
TSM900N06CW RPG
仓库库存编号:
TSM900N06CW RPGDKR-ND
别名:TSM900N06CW RPGDKR
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45.5A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.5A(Tc) 25W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA88DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA88DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA88DP-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N06CP ROGTR-ND
别名:TSM900N06CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N06CP ROGCT-ND
别名:TSM900N06CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM900N06CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM900N06CH X0G
仓库库存编号:
TSM900N06CH X0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP4NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5980-5-ND
别名:497-5980-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK52ZD
仓库库存编号:
497-5953-5-ND
别名:497-5953-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NF12FP
仓库库存编号:
497-12606-5-ND
别名:497-12606-5
STP14NF12FP-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8N60DM2
仓库库存编号:
STF8N60DM2-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号