规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N52U
仓库库存编号:
497-12582-5-ND
别名:497-12582-5
STF5N52U-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13NM60N-H
仓库库存编号:
STF13NM60N-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI11NM65N
仓库库存编号:
497-13388-5-ND
别名:497-13388-5
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.5A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFILED625
仓库库存编号:
497-13952-5-ND
别名:497-13952-5
STFILED625-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TR
仓库库存编号:
IRFR9010TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010
仓库库存编号:
IRFR9010-ND
别名:*IRFR9010
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110
仓库库存编号:
IRFU110-ND
别名:*IRFU110
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010
仓库库存编号:
IRFR010-ND
别名:*IRFR010
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRL
仓库库存编号:
IRFR010TRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TR
仓库库存编号:
IRFR010TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRR
仓库库存编号:
IRFR010TRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TRL
仓库库存编号:
IRFR9010TRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TRR
仓库库存编号:
IRFR9010TRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU010
仓库库存编号:
IRFU010-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9010
仓库库存编号:
IRFU9010-ND
别名:*IRFU9010
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 2A(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP2N10L
仓库库存编号:
RFP2N10L-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3.4A(Ta),10.9A(Tc) 25W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD107AN06LA0
仓库库存编号:
FDD107AN06LA0-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Ta) 25W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2267H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2267H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N50C
仓库库存编号:
FQPF3N50C-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Tc) 25W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN023-40YLCX
仓库库存编号:
568-10157-1-ND
别名:568-10157-1
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2299WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2299WP-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 10A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2192WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2192WP-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名:SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N50C3
仓库库存编号:
SPD02N50C3INTR-ND
别名:SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
规格:功率耗散(最大值) 25W(Tc),
无铅
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