以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 11.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 54W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0280090D
  仓库库存编号：C3M0280090D-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 54W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK96180-100A,118
  仓库库存编号：1727-7191-1-ND
  别名：1727-7191-1
  568-9680-1
  568-9680-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM
  仓库库存编号：FCD5N60TMCT-ND
  别名：FCD5N60TMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG20PBF
  仓库库存编号：IRFBG20PBF-ND
  别名：*IRFBG20PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI540NPBF
  仓库库存编号：IRLI540NPBF-ND
  别名：*IRLI540NPBF
  SP001568964
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI540NPBF
  仓库库存编号：IRFI540NPBF-ND
  别名：*IRFI540NPBF
  SP001566066
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF20PBF
  仓库库存编号：IRFBF20PBF-ND
  别名：*IRFBF20PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ48NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ48NPBF-ND
  别名：*IRFIZ48NPBF
  SP001572624
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03CP ROGTR-ND
  别名：TSM060N03CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03CP ROGCT-ND
  别名：TSM060N03CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03CP ROGDKR-ND
  别名：TSM060N03CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD5N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD5N60TM_WSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 54W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86184
  仓库库存编号：FDMC86184CT-ND
  别名：FDMC86184CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N60C
  仓库库存编号：FQP2N60CFS-ND
  别名：FQP2N60C-ND
  FQP2N60CFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE20PBF
  仓库库存编号：IRFBE20PBF-ND
  别名：*IRFBE20PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N100
  仓库库存编号：IXTP1N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGTR-ND
  别名：TSM060N03ECP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGCT-ND
  别名：TSM060N03ECP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM060N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM060N03ECP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU5N60TU
  仓库库存编号：FCU5N60TU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80
  仓库库存编号：IXTP2N80-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80
  仓库库存编号：IXTA2N80-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 54W（Tc）,
• 无铅
• 搜索